Transistors. Page 75 sur 114. Avtronic

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Transistor IRF7304

Double transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 20V. Courant de drain maxi: 4.7A. Puissance: 2W. Résistance passante: 0.09 Ohms. Boîtier: SO-8

Transistor IRF7309

Transistor IRF7309 N&P-MOS DUAL 30V 4.7A & 3.5A CMS 8p. N&P-HEXFET Power MOSFETFET. 0.05R & 0.1R. Constructeur: IR. Boîtier: SO-8

Transistor IRF7311

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 20V. Courant de drain maxi: 6.6A. Puissance: 2W. Rds: 0.029R. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO-8

Transistor IRF7313

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 6.5A. Puissance: 2W. Rds: 0.029 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO-8

Transistor IRF7314

Double transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 20V. Courant de drain maxi: 5.3A. Puissance: 2W. Résistance passante: 0.058 Ohms. Boîtier: SO-8.

Transistor IRF7316

Double transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 4.9A. Puissance: 2W. Résistance passante: 0.042 Ohms. Boîtier: SO-8

Transistor IRF7317

Transistor IRF7317 N&P-MOS DUAL 20V 6.6A & 5.3A CMS 8p. N&P-HEXFET Power MOSFET. 0.029R&0.58R. Constructeur: IR. Boîtier: SO-8

Transistor IRF7319

Transistor IRF7319 N&P-MOS DUAL 30V 6.5A & 4.9A 2W CMS 8p. N&P-HEXFET Power MOSFET. 0.029R & 0.058R. Constructeur: IR. Boîtier: SO-8 (= P23AF 4532 CMS)

Transistor IRF7328

Double transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 8A. Puissance: 2W. Résistance passante: 0.017 Ohms. Boîtier: SO-8

Transistor IRF7341

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de drain maxi: 4.7A. Puissance: 2W 0.05R. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO-8

Transistor IRF7342

Double transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 55V. Courant de drain maxi: 3.4A. Puissance: 2W. Résistance passante: 0.095 Ohms. Boîtier: SO-8.

Transistor IRF7343

Transistor IRF7343 N&P-MOS DUAL 55V 4.7A & 3.4A 2W. *CMS SO-8*. MOS-N&P-FET. Constructeur: IR. Rds: 0.043R & 0.095R

Transistor IRF7389

Transistor IRF7389 N&P-MOS DUAL 30V 7.3A & 5.3A 2.5W. *CMS SO-8*. MOS-N&P-FET. Constructeur: IR. Rds: 0.029R & 0.058R

Transistor IRF740

Transistor IRF740 N-MOS 400V 10A 125W 0.48R (6.3A). PowerMESH ll MOSFET. Tf 10nS. td(on)17nS. td(off)10nS. Fast Switching. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220C. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A.

Transistor IRF740-ST

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 400V 10A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 400V. Id(@25ºC): 10A. Puissance: 125W. Résistance Rds: 0.46 Ohms. PowerMESH ll MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -65°C à .+150°C.

Transistor IRF7413

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 13A. Puissance: 2.5W. Rds: 0.011 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO8.

Transistor IRF7413Z

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 13A. Puissance: 2.5W. Rds: 0.008 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO8.

Transistor IRF7416

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 10A. Puissance: 2.5W. Résistance passante (Rds)<0.02 Ohms. Boîtier: SO8.

Transistor IRF7455

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 15A. Puissance: 2.5W. Rds<0.0075 Ohm. Boîtier: SO8.

Transistor IRF7807

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 8.3A. Puissance: 2.5W. Rds: 0.017 Ohm. HEXFET. Boîtier: SO-8.

Transistor IRF7807V

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 8.3A. Puissance: 2.5W. Rds: 0.017 Ohm. HEXFET. Boîtier: SO-8.

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